Оксид галлия (I) - Gallium(I) oxide

Оксид галлия (I)

Имена
Другие имена недокись галлия монооксид дигаллия
Идентификаторы
Количество CAS	12024-20-3 Y
3D модель (JSmol )	Интерактивное изображение
ChemSpider	34990294 Y
PubChem CID	16702109
UNII	EJS6TG9SIN Y
Панель управления CompTox (EPA)	DTXSID70152747
ИнЧИ InChI = 1S / 2Ga.O Ключ: KXACIVYKDCQNQA-UHFFFAOYSA-N
Улыбки O ([Ga]) [Ga]
Характеристики
Химическая формула	Ga2О
Молярная масса	155,445 г / моль[1]
Внешность	коричневый порошок[1]
Плотность	4,77 г / см^3[1]
Температура плавления	> 800 ° С [1] (разлагается)
Магнитная восприимчивость (χ)	-34·10^−6 см^3/ моль[2]
Термохимия
Станд. Энтальпия формирование (ΔжЧАС^⦵298)	-356,2 кДж / моль[3]
Опасности
Классификация ЕС (DSD) (устарело)	нет в списке
Родственные соединения
Другой катионы	Монооксид бора Оксид алюминия (I) Оксид индия (I) Оксид таллия (I)
Если не указано иное, данные для материалов приводятся в их стандартное состояние (при 25 ° C [77 ° F], 100 кПа).
Ссылки на инфобоксы

Оксид галлия (I), монооксид дигаллия или же недокись галлия является неорганическое соединение с формулой Ga₂О.

Производство

Оксид галлия (I) может быть получен путем реакции оксид галлия (III) с подогревом галлий в вакууме:^[4]

${\displaystyle \mathrm {Ga_{2}O_{3}+4\ Ga\longrightarrow 3\ Ga_{2}O} }$

Его также можно получить реакцией галлия с углекислый газ в вакууме при 850 ° C.^[5]

${\displaystyle \mathrm {2\ Ga+CO_{2}\longrightarrow Ga_{2}O+CO} }$

Оксид галлия (I) является побочным продуктом при производстве арсенид галлия вафли:^[6][7]

${\displaystyle \mathrm {4\ Ga+SiO_{2}\longrightarrow 2\ Ga_{2}O+Si} }$

Характеристики

Оксид галлия (I) коричнево-черный диамагнитный твердое вещество, устойчивое к дальнейшему окислению в сухом воздухе. Он начинает разлагаться при нагревании при температуре выше 500 ° C, а скорость разложения зависит от атмосферы (вакуум, инертный газ, воздух).^[4]

Рекомендации

1. Хейнс, Уильям М., изд. (2011). CRC Справочник по химии и физике (92-е изд.). Бока-Ратон, Флорида: CRC Press. п. 4.64. ISBN  1439855110.
2. Хейнс, Уильям М., изд. (2011). CRC Справочник по химии и физике (92-е изд.). Бока-Ратон, Флорида: CRC Press. п. 4.133. ISBN  1439855110.
3. Хейнс, Уильям М., изд. (2011). CRC Справочник по химии и физике (92-е изд.). Бока-Ратон, Флорида: CRC Press. п. 5.12. ISBN  1439855110.
4. Брауэр, Георг (1975). Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie. 3. п. 857. ISBN  3-432-02328-6.
5. Эмелеус, Х. Дж. И Шарп, А. Г. (1963). Успехи неорганической химии и радиохимии. 5. Академическая пресса. п. 94. ISBN  008057854-3.
6. Зифферт, Пол и Криммель, Эберхард (2004). Кремний: эволюция и будущее технологии. Springer. п. 439. ISBN  354040546-1.
7. Чжоу, Л. -Дж (2007). Одномерные электронные и фотонные устройства в наномасштабе (NODEPD). Электрохимическое общество. п. 47. ISBN  978-156677574-8.