Альф Адамс - Alf Adams
Альф Адамс | |
|---|---|
Альфред Родни Адамс | |
| Родился | 11 ноября 1939 г.[1] |
| Альма-матер | Университет Лестера (Бакалавр, доктор философии, доктор наук) |
| Известен | Деформированные лазеры с квантовыми ямами |
| Награды | ФРС (1996)[2] |
| Научная карьера | |
| Учреждения | |
| Тезис | Электрические и оптические свойства орто-ромбических кристаллов серы (1964) |
| Докторант | Уолтер Эрик Спир[3] |
| Интернет сайт | Суррей |
Альфред («Альф») Родни Адамс, ФРС (родился в 1939 г.[1][4]) является британцем физик кто изобрел квантово-размерный лазер с напряженным слоем.[5] Большинство современных домов будет иметь несколько таких устройств во всех типах электронного оборудования.[6][7][8]
Он работал заслуженным профессором физики в Университет Суррея, где он возглавлял группу исследований оптоэлектронных материалов и устройств. Сейчас он на пенсии и занимает должность заслуженного профессора. Он был награжден Медаль Дадделла и приз в 1995 году и избран членом Королевского общества в 1996 году. В 2014 году он был награжден Ранговый приз в оптоэлектронике за новаторские работы по лазерным структурам с напряженным слоем.
ранняя жизнь и образование
Адамс родился в неакадемической семье. Его бабушка умерла от туберкулез а его отец родился с туберкулезом, поэтому его исключили из школы по состоянию здоровья, прежде чем он работал сапожник, боксер и владелец спортзала. Мать Адамса бросила школу в возрасте 12 лет. Адамс был эвакуирован из Хэдли, Эссекс в течение Блиц в Вторая Мировая Война. После принятия его одиннадцать с плюсом На экзамене он посещал местную техническую школу, где представлял Юго-Восточный Эссекс как в футболе, так и в крикете.[3]
Он присутствовал Университет Лестера изучать физику, отчасти потому, что у него не было квалификации по иностранному языку, требуемой в большинстве других университетов. Он также получил докторскую степень в Лестере с профессором Уолтер Эрик Спир на Орторомбические кристаллические системы, прежде чем делать постдокторское исследование по физике на Карлсруэ технологический институт в Германии, где он познакомился и женился на своей жене Хельге.[3]
Карьера
Вернувшись в Британию в Университете Суррея, он провел микроволновые исследования, используя Арсенид галлия кристаллы под высоким давлением. В 1980 году он взял творческий отпуск, чтобы поработать полупроводник лазеры на Токийский технологический институт в Японии.[3]
После возвращения в университет Суррея продолжить исследования. Прогуливаясь с женой Хельгой по Борнмут пляж он понял, что напрягаясь полупроводник В кристаллах он мог изменять склонность электронов перемещаться с низкоэнергетических орбит на высокоэнергетические и наоборот, тем самым изменяя эффективность производства лазерного света. Возникновение лазера с напряженным слоем (он же лазер с деформированной квантовой ямой). Он не запатентовал эту идею и поэтому не получил финансовой выгоды от технологии, которая используется практически в каждом доме в мире.[3]
Почести и награды
В 1995 г. награжден Медаль Дадделла и приз а в 1996 году был избран членом Королевское общество.[3] Его номинация в Королевское общество гласит:
Отмечен новаторской работой по применению методов высокого давления для изучения полупроводниковые материалы Профессор Адамс много сделал для того, чтобы использовать деформацию как важную переменную для понимания основ физики устройств. Его вклады включают первую демонстрацию порядка Gamma-L-X минимумы зоны проводимости в GaAs, первые прямые наблюдения за рассеянием примесей на потенциале центральной ячейки, предположение и экспериментальное подтверждение поглощения межвалентной полосы как важного механизма потерь в полупроводниковых лазерах и предсказание того, что пороговый ток в квантово-размерный лазер может быть значительно снижен, если скважины выращивать в состоянии сжимающего напряжения. Эти последние идеи в настоящее время активно реализуются во всем мире, в результате чего лазеры имеют значительно улучшенные характеристики.[2]
После выхода на пенсию из Университета Суррея он занимает должность Почетный профессор.
В 2014 г. награжден Ранговый приз в оптоэлектронике за новаторские работы по лазерным структурам с напряженным слоем.
В марте 2014 года он был предметом BBC Radio 4 программа, профессор Джим Аль-Халили с Научная жизнь[3]
использованная литература
- ^ а б «АДАМС, профессор Альфред Родни». Who's Who 2014, A&C Black, отпечаток Bloomsbury Publishing plc, 2014; онлайн-издание, Oxford University Press.(требуется подписка)
- ^ а б "EC / 1996/01: Адамс, Альфред Родни: Библиотека и архивный каталог". Лондон: Королевское общество. Архивировано из оригинал 26 марта 2014 г.. Получено 26 марта 2014.
- ^ а б c d е ж г BBC Radio 4, Life Scientific. Профиль Альфа Адамса
- ^ Кипрский технологический университет[постоянная мертвая ссылка ], реклама лекции, которую Адамс прочитает 4 февраля 2011 года. Содержит дальнейшие биографические данные.
- ^ «Катализатор нашего цифрового мира: лазеры с напряженными квантовыми ямами - полный пример». SET в квадрате. Университеты Бата, Бристоля, Экзетора, Саутгемптона и Суррея. Архивировано из оригинал 3 апреля 2015 г.. Получено 2 апреля 2015.
- ^ O'Reilly, E.P .; Адамс, А. Р. (1994). «Зонная структура в напряженных полупроводниковых лазерах». Журнал IEEE по квантовой электронике. 30 (2): 366. Bibcode:1994IJQE ... 30..366O. Дои:10.1109/3.283784.
- ^ Adams, A. R .; Asada, M .; Suematsu, Y .; Араи, С. (1980). «Температурная зависимость КПД и порогового тока In1-xGaxAsyP1-y. Лазеры Связано с поглощением в полосе интервалов ». Японский журнал прикладной физики. 19 (10): L621. Bibcode:1980JaJAP..19L.621A. Дои:10.1143 / JJAP.19.L621.
- ^ Fehse, R .; Tomic, S .; Adams, A. R .; Суини, С. Дж .; O'Reilly, E.P .; Андреев А .; Рихерт, Х. (2002). «Количественное исследование излучательных, оже-рекомбинационных процессов и процессов рекомбинации дефектов в лазерах с квантовыми ямами на основе 1,3-мкм GaInNAs». IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 8 (4): 801. Bibcode:2002IJSTQ ... 8..801F. Дои:10.1109 / JSTQE.2002.801684.
