Томас Юджин Эверхарт - Thomas Eugene Everhart

Томас Юджин Эверхарт
Томас Эверхарт 1987.png
Томас Эверхарт в 1987 году
5-й президент Калифорнийский технологический институт
В офисе
1987–1997
ПредшествуетМарвин Голдбергер
ПреемникДэвид Балтимор
4-й канцлер Иллинойсский университет в Урбана-Шампейн
В офисе
1984–1987
ПредшествуетДжон Э. Криббет
ПреемникМортон В. Вейр
Личная информация
Родившийся (1932-02-15) 15 февраля 1932 г. (возраст 88)
Канзас-Сити, штат Миссури, НАС.
ГражданствоСоединенные Штаты
Альма-матерГарвардский колледж, Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе, Кембриджский университет
НаградыМедаль столетия IEEE (1984)
Премия Кларка Керра (1992)
Медальон столетия ASEE (1993)
Медаль основателей IEEE (2002)
Приз Окавы (2002)
Научная карьера
ПоляЭлектротехника, Прикладная физика
УчрежденияКалифорнийский университет в Беркли, Корнелл Университет, Иллинойсский университет в Урбана-Шампейн, Калифорнийский технологический институт, Кембриджский университет
ТезисФормирование контраста в сканирующем электронном микроскопе  (1958)
ДокторантЧарльз Оатли

Томас Юджин Эверхарт FREng (родился 15 февраля 1932 года, Канзас-Сити, штат Миссури)[1] американский педагог и физик. Его область знаний - физика электрон балки. Вместе с Ричард Ф. М. Торнли он разработал Детектор Эверхарта-Торнли. Эти детекторы до сих пор используются в растровые электронные микроскопы, хотя первый такой детектор появился еще в 1956 году.

Эверхарт был избран в Национальная инженерная академия в 1978 г. он был назначен Международным Парень из Королевская инженерная академия в 1990 г.[2] Он служил канцлером Иллинойсский университет в Урбана-Шампейн с 1984 по 1987 год и в качестве президента Калифорнийский технологический институт с 1987 по 1997 гг.

ранняя жизнь и образование

Родителями Эверхарта были Уильям Эверхарт и Элизабет А. Вест. Эверхарт получил А.Б. по физике из Гарвардский университет в 1953 г., а его РС. в прикладной физике из Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе в 1955 г. Он провел Стипендия Маршалла в Клэр Колледж, Кембриджский университет, где защитил кандидатскую диссертацию под руководством профессора Чарльз Оатли в 1958 г.[1]

Карьера

Детектор Эверхарта-Торнли

Эверхарт начал работать над обнаружением электронов и разработкой растровые электронные микроскопы (SEM) как студент Чарльза Отли в Кембридже в 1955 году.[3] Первоначальный прототип, SEM1, был разработан Деннисом Макмалленом, который опубликовал свою диссертацию. Исследования, касающиеся конструкции электронных микроскопов в 1952 г.[3][4] Он был дополнительно модифицирован Кеном С. А. Смитом, который разработал способ эффективного обнаружения вторичных электронов с низкой энергией.[5] Оатли и его ученики использовали SEM для разработки множества новых методов изучения топографии поверхности.[3][6]

Эверхарт разработал методы обнаружения вторичных энергий с низким энергопотреблением. Его доктор философии. кандидатская диссертация, в 1958 г. Формирование контраста в сканирующем электронном микроскопе.[6] Анализируя электроны, обнаруженные с помощью SEM, он сообщил, что около 67% измеренного сигнала можно отнести к вторичным компонентам с низкой энергией от образца.[7] Около 3% приходилось на отраженные электроны с более высокой энергией.[5] Он также представил уравнения для моделирования вносимого шума.[3][7]

Использование термина «контраст напряжения» для описания взаимосвязи между напряжением, приложенным к образцу, и результирующим контрастом изображения приписывается Эверхарту.[8][9] В 1959 году Эверхарт произвел первые контрастные по напряжению изображения p-n-переходов смещенных кремниевых диодов.[10] Контраст напряжения, способность обнаруживать вариации поверхностных электрических потенциалов на образце, в настоящее время является одним из нескольких режимов визуализации, используемых для определения характеристик, диагностики и анализа отказов полупроводников. Считается, что до половины проданных SEM используются в полупроводниковых приложениях.[11]

Эверхарт подробно изучил механизмы контраста и разработал новую теорию отражения электронов от твердых тел.[12] Он также провел некоторые из первых количественных исследований влияния проникновения луча на формирование изображения в SEM.

В 1960 году Эверхарт и Ричард Ф. М. Торнли опубликовали описание усовершенствованной конструкции детектора вторичных электронов, известного как детектор вторичных электронов. Детектор Эверхарта-Торнли. Эверхарт и Торнли увеличили эффективность существующих детекторов, добавив световод для передачи фотонного сигнала от сцинтиллятора внутри вакуумированной камеры для образцов сканирующих электронных микроскопов к фотоумножителю за пределами камеры.[13] Это усилило собранный сигнал и улучшило отношение сигнал / шум. В 1963 году Пиз и Никсон включили детектор Эверхарта-Торнли в свой прототип первого коммерческого СЭМ, позже разработанного как Кембриджские научные инструменты Марк I Стереоскан. Этот тип детекторов вторичных электронов и обратно рассеянных электронов все еще используется в современных растровые электронные микроскопы (SEM).[14]

Используя различные типы детекторов с SEM, становится возможным составить карту топографии, кристаллографии и состава исследуемых образцов.[4] В 1960-х Уэллс, Эверхарт и Матта построили продвинутый SEM для исследований полупроводников и микротехнологий в Westinghouse Laboratories в Питтсбурге. Они смогли комбинировать сигналы, чтобы более эффективно исследовать несколько слоев в активных устройствах, что является ранним примером визуализации EBIC.[15][16]

Калифорнийский университет в Беркли

С 1958 по 1978 год Эверхарт был профессором, а затем заведующим кафедрой инженерии и компьютерных наук в Калифорнийский университет в Беркли.[1] Там он поддержал строительство первого растрового электронного микроскопа в одном из университетов США.[17]

Корнелл Университет

В январе 1979 года он стал Джозефом Зильбертом деканом инженерного колледжа в Корнелл Университет, Итака, Нью-Йорк.[18]

Университет Иллинойса

Эверхарт служил канцлером Иллинойсский университет в Урбана-Шампейн с 1984 по 1987 год. В качестве канцлера Эверхарт участвовал в разработке предложений и разработке Институт передовых наук и технологий Бекмана, междисциплинарный исследовательский институт, существенно финансируемый за счет обращения к Арнольд Орвилл Бекман.[19]:9–14 В официальном приглашении предложенных членов Административного комитета Института Бекмана Эверхарт написал, что создание Института Бекмана было «исключительной возможностью, возможно, самой драматической и захватывающей из всех, которые мы увидим в нашей трудовой жизни».[19]:97

Калифорнийский технологический институт

Эверхарт был президентом Калифорнийский технологический институт с 1987 по 1997 гг.[20] Как президент Калифорнийского технологического института, Эверхарт санкционировал проект лазерной интерферометрической обсерватории гравитационных волн (LIGO) - крупномасштабного эксперимента, направленного на обнаружение гравитационных волн и их использование для фундаментальных исследований в области физики и астрономии.[21]

Находясь в Калифорнийском технологическом институте, Эверхарт участвовал в значительном расширении университета, возглавив кампанию по сбору средств на сумму 350 миллионов долларов. В 1989 году он помог открыть Институт Бекмана в Калтехе, исследовательский центр биологии, химии и смежных наук.[22] Это был второй из пяти исследовательских центров, поддерживаемых Арнольд Орвилл Бекман и его жена Мэйбл. Эверхарт также участвовал в разработке Обсерватория В. М. Кека на Гавайях при поддержке Фонд В. М. Кека;[23] Лаборатория инженерии Гордона и Бетти Мур при поддержке Гордон Мур из Intel;[24] и Инженерная библиотека Fairchild при поддержке Фонд Шермана Фэйрчайлда.[20][25]

Эверхарт содействовал усилиям по найму большего количества преподавателей-женщин и увеличению приема женщин. В последний год его учебы в Калтехе количество женщин в классе первокурсников было вдвое больше, чем в тот год, когда он поступил в Калтех.[20]

С 1998 года Эверхарт является попечителем Калифорнийский технологический институт.[26] Он входит в советы директоров Raytheon и Фонд Кавли, среди прочего.[18]

Гарвардский университет

В 1999 году Эверхарт был избран на шестилетний срок Смотрителем Гарвардский университет. В 2001 году он стал членом исполкома Смотрителей. Он был одним из трех надзирателей, участвовавших в президентской розыскной комиссии университета в 2000–2001 годах. В 2004 году он был избран президентом Наблюдательного совета Гарварда на 2004-05 годы.[27]

Награды и отличия

Эверхарт был избран членом ряда научных обществ, в том числе следующих:[1]

Эверхарт получил ряд наград, в том числе следующие:[1]

Рекомендации

  1. ^ а б c d е Брок, Дэвид С .; Моди, Сайрус (3 мая 2011 г.). Томас Эверхарт, стенограмма интервью, проведенного Дэвидом К. Броком и Сайрусом Моди в ходе телефонного интервью в Санта-Барбаре, Калифорния, 28 марта 2007 г. и 3 мая 2011 г. (PDF). Филадельфия, Пенсильвания: Фонд химического наследия.
  2. ^ «Список стипендиатов». Королевская инженерная академия.
  3. ^ а б c d Роденбург, Дж. (1997). Электронная микроскопия и анализ, 1997 г .: материалы конференции Группы по электронной микроскопии и анализа Института физики, Кавендишская лаборатория, Кембриджский университет, 2-5 сентября 1997 г.. Бристоль: Институт физики Pub. С. 11–16. ISBN  978-0750304412. Получено 19 июн 2015.
  4. ^ а б Ратинак, Кайл Р. (2008). «Великий момент 9: Сканирующая электронная микроскопия». В Ratinac, Кайл Р. (ред.). 50 ярких моментов: празднование золотого юбилея электронного микроскопа Сиднейского университета. Сиднейский университет, N.S.W .: Sydney University Press. С. 71–81. ISBN  9781920898762. Получено 19 июн 2015.
  5. ^ а б Эверхарт, Т. Э. (2004). «Формирование контраста в сканирующем электронном микроскопе». В Хоуксе, Питер У. (ред.). Достижения в области визуализации и электронной физики: Том 133, Сэр Чарльз Оатли и растровый электронный микроскоп (1-е изд.). Оксфорд: Elsevier Academic Press. С. 137–145. ISBN  978-0123859853.
  6. ^ а б Holt, D. B .; Джой, Д. К. (1989). Микрохарактеризация полупроводников с помощью СЭМ. Elsevier Science. стр. xi – xii. ISBN  9780123538550. Получено 18 июн 2015.
  7. ^ а б Хоукс, Питер В. (2004). Достижения в области визуализации и электронной физики: Том 133, Сэр Чарльз Оатли и растровый электронный микроскоп (1-е изд.). Оксфорд: Elsevier Academic Press. ISBN  978-0123859853.
  8. ^ Бретон, Берни С. «Ранняя история и развитие растрового электронного микроскопа». Кембриджский университет. Получено 18 июн 2015.
  9. ^ Оатли, CW; Эверхарт Т. Е. (1957). «Исследование p-n-переходов в сканирующем электронном микроскопе». Журнал электроники. 2 (6): 568–570. Дои:10.1080/00207215708937060.
  10. ^ Everhart, T.E .; Wells, O.C .; Оатли, C.W. (1959). «Факторы, влияющие на контраст и разрешение в сканирующем электронном микроскопе». Журнал управления электроникой. 7 (2): 97–111. Дои:10.1080/00207215908937191.
  11. ^ Newbury, Dale D .; Джой, Дэвид К .; Эхлин, Патрик; Фиори, Чарльз Э .; Гольдштейн, Джозеф I. (1986). Расширенная сканирующая электронная микроскопия и рентгеновский анализ. Нью-Йорк: Plenum Press, Inc., стр. 45. ISBN  9780306421402.
  12. ^ Эверхарт, Т. Э. (1960). «Простая теория отражения электронов от твердых тел». Журнал прикладной физики. 31 (8): 1483–1490. Bibcode:1960JAP .... 31.1483E. Дои:10.1063/1.1735868.
  13. ^ Эверхарт, TE и RFM Thornley (1960). «Широкополосный детектор микро-микроамперных токов низкоэнергетических электронов» (PDF). Журнал научных инструментов. 37 (7): 246–248. Bibcode:1960JScI ... 37..246E. Дои:10.1088/0950-7671/37/7/307.
  14. ^ Bogner, A .; Jouneau, P.-H .; Thollet, G .; Basset, D .; Готье, К. (2007). «История развития сканирующей электронной микроскопии: на пути к визуализации« мокрого STEM »» (PDF). Микрон. 38 (4): 390–401. Дои:10.1016 / j.micron.2006.06.008. PMID  16990007. Получено 18 июн 2015.
  15. ^ Wells, OC; Everhart, TE; Матта, РК (1965). «Автоматическое позиционирование электродов прибора с помощью сканирующего электронного микроскопа». Транзакции IEEE на электронных устройствах. ED-12 (10): 556–563. Bibcode:1965 год ... 12..556Вт. Дои:10.1109 / т-ред.1965.15607.
  16. ^ Everhart, T. E .; Хофф, П. Х. (1971). "Определение киловольтной диссипации энергии электронов в зависимости от расстояния проникновения в твердые материалы". Журнал прикладной физики. 42 (13): 5837–5846. Bibcode:1971JAP .... 42.5837E. Дои:10.1063/1.1660019.
  17. ^ «Получатели медали учредителей IEEE».
  18. ^ а б "Томас Э. Эверхарт". Фонд Кавли. Получено 19 июн 2015.
  19. ^ а б Браун, Теодор Л. (2009). Преодоление разногласий: истоки института Бекмана в Иллинойсе. Урбана: Университет Иллинойса. ISBN  978-0252034848. Получено 11 декабря 2014.
  20. ^ а б c Ву, Элейн (23 мая 1996 г.). «Президент Калифорнийского технологического института объявляет об отставке». Лос-Анджелес Таймс. Получено 19 июн 2015.
  21. ^ «История и вехи». Калтех. Получено 19 июн 2015.
  22. ^ "Посвящение Институту Бекмана" (PDF). Новости Калифорнийского технологического института. 23 (6): 1–2. 1989. Получено 19 июн 2015.
  23. ^ Копман, Линда; Камисато, Пегги (2007). "Мечтательная филантропия: пробег домой". Космические вопросы, обсерватория Кека. Архивировано из оригинал на 2011-04-13.
  24. ^ Фланиган, Джеймс (10 января 1996 г.). «Благодаря своей новой лаборатории у Калифорнийского технологического института есть формула, позволяющая выжить в условиях неопределенности». Лос-Анджелес Таймс. Получено 19 июн 2015.
  25. ^ Дуглас, Кимберли. «Библиотека Шермана Фэйрчайлда: десять лет спустя». Отдел инженерии и прикладных наук. Калтех. Получено 19 июн 2015.
  26. ^ «Бывший президент Калифорнийского технологического института Том Эверхарт избран в совет директоров». Новости и события Калифорнийского технологического института. 1998. Получено 19 июн 2015.
  27. ^ «Эверхарт назначен президентом Overseers на 2004-2005 годы». Harvard Gazette. 10 июня 2004 г.. Получено 19 июн 2015.

внешняя ссылка

Библиотечные ресурсы о
Томас Юджин Эверхарт
Томас Юджин Эверхарт
Академические офисы
Предшествует
Джон Э. Криббет		 Канцлер Иллинойсский университет в Урбана-Шампейн
1984 – 1987		Преемник
Мортон В. Вейр
Предшествует
Марвин Голдбергер		 Президент Калифорнийский технологический институт
1987 – 1997		Преемник
Дэвид Балтимор