Плазменный травитель - Plasma etcher

А плазменный травитель, или травильный инструмент, это инструмент, используемый в производстве полупроводник устройств. Плазменный травитель производит плазма из технологического газа, обычно кислород или фтор -подшипник газа, использующий высокую частоту электрическое поле обычно 13,56 МГц. А кремниевая пластина помещается в плазменный травитель, а воздуха откачивается из технологической камеры с помощью системы вакуумных насосов. Затем технологический газ вводится под низким давлением и возбуждается в плазму через пробой диэлектрика.

Использует

Плазма может использоваться для выращивания диоксид кремния пленка на кремниевой пластине (с использованием кислородной плазмы) или может использоваться для удаления диоксида кремния с помощью фторсодержащего газа. При использовании вместе с фотолитография, диоксид кремния может быть выборочно применен или удален для трассировки цепей.

Для формирования интегральных схем необходимо структурировать различные слои. Это можно сделать с помощью плазмотрона. Перед травлением фоторезист наносится на поверхность, освещается через маску и проявляется. Затем выполняется сухое травление, чтобы получить структурированное травление. После процесса необходимо удалить оставшийся фоторезист. Это также делается в специальном плазменном травителе, называемом Ашер.^[1]

Сухое травление обеспечивает воспроизводимое и равномерное травление всех материалов, используемых в кремнии и Полупроводник III-V технологии. Благодаря использованию индуктивно связанной плазмы / реактивного ионного травления (ICP / RIE) даже самые твердые материалы, такие как алмаз может быть наноструктурирован.^[2]^[3]

Плазменные травители также используются для расслоения интегральных схем в анализ отказов.

Удержание плазмы

Промышленные плазменные травители часто имеют удержание плазмы для обеспечения повторяемых скоростей травления и точного пространственного распределения в РФ плазма.^[4] Один из методов удержания плазмы заключается в использовании свойств Дебая ножны, приповерхностный слой в плазме, подобный двухслойный в других жидкостях. Например, если длина дебаевской оболочки на кварцевой части с прорезью составляет не менее половины ширины прорези, оболочка закроет прорезь и ограничит плазму, при этом позволяя незаряженным частицам проходить через прорезь.

Рекомендации

^ http://www.pvatepla.com/en/products/plasma-systems/microwellen-plasma/photoresist-ashing/overview
^ Радтке, Мариуш; Нельц, Ричард; Слаблаб, Абдаллах; Ной, Эльке (24.10.2019). «Надежное нано-изготовление монокристаллических алмазных фотонных наноструктур для наномасштабного зондирования». Микромашины. MDPI AG. 10 (11): 718. Дои:10.3390 / mi10110718. ISSN 2072-666X. PMID 31653033.
^ Радтке, Мариуш; Рендер, Лара; Нельц, Ричард; Ной, Эльке (21.11.2019). «Плазменная обработка и фотонные наноструктуры для центров мелких вакансий азота в алмазе». Оптические материалы Экспресс. Оптическое общество. 9 (12): 4716. Дои:10.1364 / ом.9.004716. ISSN 2159-3930.
^ http://www.eecs.berkeley.edu/~lieber/confinedphys20Apr05.pdf

[1] ttp://www.pvatepla.com/en/products/plasma-systems/microwellen-plasma/photoresist-ashing/overview

[2] Радтке, Мариуш; Нельц, Ричард; Слаблаб, Абдаллах; Ной, Эльке (24.10.2019). «Надежное нано-изготовление монокристаллических алмазных фотонных наноструктур для наномасштабного зондирования». Микромашины. MDPI AG. 10 (11): 718. Дои:10.3390 / mi10110718. ISSN 2072-666X. PMID 31653033.

[3] Радтке, Мариуш; Рендер, Лара; Нельц, Ричард; Ной, Эльке (21.11.2019). «Плазменная обработка и фотонные наноструктуры для центров мелких вакансий азота в алмазе». Оптические материалы Экспресс. Оптическое общество. 9 (12): 4716. Дои:10.1364 / ом.9.004716. ISSN 2159-3930.

[4] ttp://www.eecs.berkeley.edu/~lieber/confinedphys20Apr05.pdf

[1]

[2]

[3]

[4]