Медаль Роберта Нойса IEEE - IEEE Robert N. Noyce Medal
 | Эта статья слишком полагается на Рекомендации к основные источники. (Январь 2020) (Узнайте, как и когда удалить этот шаблон сообщения) |
| Медаль Роберта Нойса IEEE | |
|---|---|
| Присуждается за | Исключительный вклад в отрасль микроэлектроники |
| Представлено | Институт инженеров по электротехнике и электронике |
| Первый награжден | 1999 |
| Интернет сайт | Медаль Роберта Нойса IEEE |
В Медаль Роберта Нойса IEEE научная награда, присуждаемая IEEE за выдающийся вклад в развитие микроэлектроники. Его получают люди, которые продемонстрировали вклад в различных областях, включая развитие технологий, развитие бизнеса, лидерство в отрасли, разработку технологической политики и разработку стандартов. Медаль названа в честь Роберт Н. Нойс, основатель Корпорация Intel. Он также был известен своим изобретением интегральной схемы в 1959 году. Медаль финансируется корпорацией Intel и впервые была вручена в 2000 году.
Получатели [1]
- 2020: Сусуму Кохьяма (K Associates, Токио, Япония) «За глобальное исполнительное лидерство в разработке технологий CMOS, а также за стандартизацию методологии проектирования и ее влияние на полупроводниковую промышленность».
- 2019: Antun Domic (Synopsys Inc., США) «за лидерство в исследованиях и разработках передовых средств автоматизации проектирования микроэлектроники».[2]
- 2018: Цугио Макимото, президент Technovision Japan.
- 2016: Такуо Сугано (Токийский университет, Япония) «за вклад в исследования и развитие науки и технологий полупроводниковых устройств».
- 2015: Мартин Ван ден Бринк[3] (ASML, Нидерланды) За исключительный вклад в развитие индустрии микроэлектроники.
- 2014: Джон Э. Келли III[4] (IBM, США) За глобальное лидерство в области исследований и разработок в области полупроводниковых технологий.
- 2013: Сунлин Чоу[5] и Юсеф А Эль-Манси[6] (Intel, США) За вклад в продвижение корпорации Intel к позиции ведущего производителя логических устройств и ускорение прогресса в области вычислений.
- 2012: Юн-Ву Ли[7] (Samsung Electronics, Корея) За видение и лидерство, благодаря которым Корея стала мировым лидером в производстве полупроводниковых микросхем памяти и технологий жидкокристаллических дисплеев (ЖКД), а также за помощь в превращении Samsung Electronics в крупнейшую в мире электронную компанию.
- 2011: Паскуале Писторио (STMicroelectronics, Европа) За вклад и лидерство в области технологий, бизнеса и защиты окружающей среды в мировой полупроводниковой и электронной промышленности.
- 2010: Джеймс К. Морган[8] (Прикладные материалы, США) За видение и лидерство, которые превратили Applied Materials в лидера инноваций и глобального партнера по развитию технологий производства микроэлектроники.
- 2009: Элияху Харари[9] (Корпорация Sandisk, США) За лидерство в разработке и коммерциализации флеш-памяти электрически стираемой программируемой постоянной памяти (Прошить EEPROM ) на основе продуктов для хранения данных.
- 2008: Пол Р. Грей (Калифорнийский университет в Беркли, США) За новаторство в разработке аналоговые интегральные схемы.
- 2007: Aart de Geus (Synopsys Inc., США) За вклад в развитие технологий и бизнеса Автоматизация электронного проектирования.
- 2006: Шоичиро Ёсида (Корпорация Nikon, США) За вклад в развитие технологий и бизнеса IC литография.
- 2005: Уилфред Дж. Корриган (LSI Logic, США) За первопроходцы в наши дни ворота, стандартная ячейка ASIC, система на кристалле и платформы ASIC, а также за лидерство в полупроводниковом бизнесе, технологиях и отраслевом сотрудничестве.
- 2004: Крейг Р. Барретт ( Корпорация Intel, США) За взносы в производство полупроводников технологии и лидерство в бизнесе и отраслевых инициативах.
- 2003: Дональд Р. Скрифрес (JDS Uniphase, США) За новаторский вклад в развитие технологий и бизнеса полупроводниковые лазеры.
- 2002: Ёсио Ниси (Texas Instruments Inc., США) За стратегическое лидерство в глобальных исследованиях и разработках полупроводников.
- 2001: Хадзиме Сасаки (Корпорация NEC, Япония) За вклад в технологии и развитие бизнеса полупроводниковые приборы и гармонизация глобального полупроводниковая промышленность.
- 2000: Моррис Чанг (Тайваньское производство полупроводников, Тайвань) За его видение и лидерство в разработке кремниевых интегральных схем. Литейный завод промышленность.
Рекомендации
- ^ https://www.ieee.org/content/dam/ieee-org/ieee/web/org/about/noyce_rl.pdf Список обладателей медали Роберта Нойса IEEE
- ^ «Получатели медалей и наград IEEE 2019, а также награды» (PDF). IEEE. Получено 6 декабря, 2018.
- ^ "Мартин А. ван ден Бринк - Вики по истории инженерии и технологии". Ethw.org. 2016-02-04. Получено 2017-03-12.
- ^ "Джон Э. Келли, III - Вики по истории инженерии и технологий". Ethw.org. 2016-02-01. Получено 2017-03-12.
- ^ "Sunlin Chou - Вики по истории инженерии и технологий". Ethw.org. 2016-02-29. Получено 2017-03-12.
- ^ "Юсеф А. Эль-Манси - Вики по истории инженерии и технологий". Ethw.org. 2016-03-09. Получено 2017-03-12.
- ^ "Юн-Ву Ли - Вики по истории инженерии и технологий". Ethw.org. 2016-03-09. Получено 2017-03-12.
- ^ "Джеймс С. Морган - Вики по истории инженерии и технологий". Ethw.org. 2016-01-29. Получено 2017-03-12.
- ^ "Элияху Харари - Вики по истории инженерии и технологий". Ethw.org. 2016-01-22. Получено 2017-03-12.
внешняя ссылка
- Медаль Роберта Нойса IEEE, Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике
- Обладатели медали Роберта Н. Нойса, Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике
 | Эта инженерная статья заглушка. Вы можете помочь Википедии расширяя это. |