Центр промышленных инноваций Джорджа М. Лоу - George M. Low Center for Industrial Innovation

В Центр промышленных инноваций Джорджа М. Лоу, иначе известный как Низкий центр или же CII, является крупным исследовательским центром в Политехнический институт Ренсселера в Трой, Нью-Йорк.

Центр промышленных инноваций Джорджа М. Лоу
LowCenterRPI.JPG
Центр Джорджа М. Лоу
Альтернативные названияCII
Низкий центр
ЭтимологияНазванный для Джордж М. Лоу
Общая информация
Строительство началосьЛето 1984 г.
Завершенный14 мая 1987 г.
Расходы$60,000,000
Технические детали
Количество этажей9
Площадь пола200000 квадратных футов (19000 м2)
Лифты / лифты4
Рекомендации
[1]

История

Центр назван в честь Джордж М. Лоу, который был важным администратором НАСА и президентом института. При поддержке Eastman Kodak, IBM, Colt Industries и General Electric, было сделано предложение губернатору Хью Кэри совместно спонсировать исследовательский и учебный центр по продвижению промышленных инноваций. В июле 1982 года штат Нью-Йорк согласился использовать Ренсселер в качестве площадки для нового центра. Президент Лоу заявил, что штат «сделал гигантский шаг в своих усилиях по привлечению, развитию и сохранению бизнеса передовых технологий в штате, шаг, который, несомненно, окажет существенное влияние на экономику Нью-Йорка».[1] Строительство началось летом 1984 года, а посвящение центра состоялось 14 мая 1987 года.

Здание CII печально известно своими высокими полыми центральными лестничными клетками. В 1992 году самопровозглашенная команда Rensselaer Drop Squad провела большую часть семестра, сбрасывая с 7-этажной лестницы серию еще более причудливых предметов, прежде чем они были в конце концов задержаны. В комплект входят пишущие машинки, 150 шт. Макдоналдс гамбургеры, теннисные мячи и елка.[2]

29 марта 2007 года выпускник RPI Энсон Трипп покончил жизнь самоубийством, прыгнув с вершины одной из лестничных пролетов после поездки в RPI из Массачусетса.[3] Из-за неопределенности, связанной со смертью, после того, как его тело было обнаружено, была полностью эвакуирована все здание и остановлены все мероприятия в кампусе. В августе 2008 года в центре двух основных лестничных клеток были проложены металлические тросы, чтобы предотвратить падение предметов, скорее всего, в ответ на это событие.

Начиная с начала 2008 года, началось планирование внешнего ремонта с заменой огромной сети поврежденных кирпичей, окружающих здание. Часть здания была покрыта брезентом, чтобы упавшие кирпичи не травмировали людей внизу. По состоянию на февраль 2011 года работы на северной стене центральной башни были завершены, и начались работы на северной пристройке здания.

Удобства

CII и DCC (на переднем плане)

Девятиэтажный, площадью 200000 кв. Футов (19000 м2). в здании есть подземный высокий пролет площадью 10 000 квадратных футов (930 м2) класс 100 чистая комната,[4] девяносто лабораторий, десять конференц-залов и множество офисов.

Основные исследовательские центры, расположенные в нижнем центре

  • Центр интегрированной электроники (CIE)[5]
    • В рамках CIE:
    • Центр передовых технологий межсетевых соединений (CAIST)
    • Центр науки и технологий широкополосного транспорта данных
    • Центр контроля микроконтаминации
    • Центр систем силовой электроники (CPES)
    • The Focus Center - Нью-Йорк, Rensselaer: Interconnections for Gigascale Integration
  • Лаборатория перспективных силовых устройств[6]
  • Центр технологий и систем автоматизации (CATS)[7]
  • Нью-Йоркский центр астробиологии[8]
  • Центр терагерцовых исследований[9]
  • Научно-вычислительный исследовательский центр[10]
  • Созвездие фишек будущего[11]

Галерея Джорджа М. Лоу

После его смерти семья Лоу завещала все награды и памятные вещи Лоу институту. Эти вещи были включены в галерею Джорджа М. Лоу, музей на четвертом этаже, который является данью уважения Джорджу Лоу, НАСА и инженерам Программа Аполлон. Он создан для того, чтобы вы чувствовали себя почти как в открытом космосе; темнота контрастирует с освещенными экспонатами, а фотографии космонавтов и космоса подсвечены сзади.

  • Восточная сторона Низкого Центра

  • С верхнего этажа, глядя на юго-запад

Рекомендации

  1. ^ а б «Центр промышленных инноваций». Политехнический институт Ренсселера. Получено 2013-01-13.
  2. ^ "Rensselaer DropSquad". Rensselaer DropSquad. Получено 2013-01-13.[неудачная проверка ]
  3. ^ Викиновости: Тело выпускников Политехнического института Ренсселера, Нью-Йорк
  4. ^ «Чистая комната для микро- и нано-производства». Политехнический институт Ренсселера. Архивировано из оригинал 2 января 2013 г.. Получено 2013-01-13.
  5. ^ «Центр интегрированной электроники». Политехнический институт Ренсселера. Получено 2013-01-13.
  6. ^ «Центр систем силовой электроники». Политехнический институт Ренсселера. Получено 2013-01-13.
  7. ^ «Центр технологий и систем автоматизации Ренсселера (CATS)». Политехнический институт Ренсселера. Получено 2013-01-13.
  8. ^ "Нью-Йоркский центр астробиологии". Политехнический институт Ренсселера. Архивировано из оригинал на 21.01.2013. Получено 2013-01-13.
  9. ^ «Центр терагерцовых исследований». Политехнический институт Ренсселера. Архивировано из оригинал на 2007-01-25. Получено 2013-01-13.
  10. ^ «Научно-вычислительный исследовательский центр». Политехнический институт Ренсселера. Получено 2013-01-13.
  11. ^ "Созвездие фишек будущего". Политехнический институт Ренсселера. Получено 2013-01-13.

Внешние ссылки и ссылки

Координаты: 42 ° 43′45 ″ с.ш. 73 ° 40′43 ″ з.д. / 42,72917 ° с.ш. 73,67861 ° з.д. / 42.72917; -73.67861