Элмос Полупроводник - Elmos Semiconductor

Elmos Semiconductor SE
ТипПубличная компания
ПромышленностьЭлектротехника
Основан1984
Штаб-квартира
Дортмунд
,
Германия
Обслуживаемая площадь
автомобильный
ПродуктыПолупроводники, микроструктуры
Дочерние компанииКремниевые микроструктуры
Интернет сайтhttp://www.elmos.de/
Сноски / ссылки
Garnter заняла 2-е место среди поставщиков автомобильных ASIC

Elmos Semiconductor SE немецкий производитель полупроводник продукты со штаб-квартирой в Дортмунд, Северный Рейн-Вестфалия, Германия.[требуется разъяснение ] Elmos поставляет автомобили специализированные интегральные схемы (ASIC).

Процессы

Elmos имеет четыре процесса CMOS высокого напряжения[требуется разъяснение ] имеется в наличии.

  • L12 / T12 1,2 мкм CMOS / SOI процесс. Допустимое напряжение до 120 В / + / - 120 В
  • L08 0,8 мкм CMOS процесс. Допустимое напряжение до 120 В
  • L05 0,5 мкм CMOS процесс. Допустимое напряжение до 120 В
  • L035 / T035 0,35 мкм CMOS / SOI процесс. Допустимое напряжение до 120 В / + / - 120 В

История

  • 1984 - Основана в Дортмунде, Германия
  • 1985 - 32 сотрудника, оборот 0,4 млн. Немецких марок, установка 4-дюймовой вафельной фабрики в Дортмунде.
  • 1994 - сертификат DIN ISO 9001
  • 1998 год - 460 сотрудников, оборот 140 млн марок. Полная поставка от новой 6-дюймовой линии
  • 1999 - IPO на новый рынок, Франкфурт
  • 2001 - 630 сотрудников, оборот 107 миллионов евро Приобретение компаний Eurasem (Packaging, NL) и SMI (MEMS, США)
  • 2002 - TS16949
  • 2005 - Открытие фабрики по производству 8-дюймовых вафель в Дуйсбурге в качестве второй производственной линии.
  • 2020 - Преобразование правовой формы в Societas Europaea[1]

подробности

  • Ежегодное производство и поставка более 100 миллионов микросхем
  • В настоящее время> 1,5 миллиарда микросхем ELMOS "в поле"
  • Более 1100 сотрудников в 13 офисах, оборот около 160,7 миллионов евро. ASSP, МЭМС и микросистемы
  • Целевой показатель на 2010 год: годовое производство ок. 200 млн микросхем с оборотом около 250 млн евро

Кремниевые микроструктуры

Silicon Microstructures, Inc.(SMI) была основана в 1991 году как коммерческий источник высокопроизводительного кремния. датчики давления, в том числе Микроэлектромеханические системы датчики и акселерометры. Первым продуктом компании был кремниевый датчик для очень низкого давления. СМИ были приобретены в марте 2001 г. Системы OSI.[2]SMI начала производство более высокопроизводительных датчиков и микроструктур системного уровня, беспроводных, радиочастотных и адресных микроструктур. В августе 2002 года SMI приобрела подразделение IC Sensors по производству пластин и группу исследований и разработок пластин и переехала в Милпитас, Калифорния. В следующем году Silicon Microstructures провела значительную и полную модернизацию производства пластин, чтобы расширить возможности для обработки 6-дюймовых пластин.

Эта установка обрабатывала в основном 6-дюймовые пластины и обладает расширенными техническими возможностями, включая глубокое реактивное ионное травление (DRIE ) и плазменное усиление соединение сплавлением.[требуется разъяснение ]

использованная литература

  1. ^ https://www.handelsregisterbekanntmachungen.de/skripte/hrb.php?rb_id=1817280&land_abk=nw
  2. ^ «OSI Systems продает дочернюю компанию SMI компании Elmos Semiconductor» (Пресс-релиз). 13 марта 2001 г.. Получено 2 сентября 2016.

внешние ссылки