Ловушка глубокого уровня - Deep-level trap

Ловушки глубокого уровня или же дефекты глубокого уровня обычно нежелательный тип электронного дефекта в полупроводники. Они «глубокие» в том смысле, что энергия, необходимая для выведения электрона или дырки из ловушки в валентность или же зона проводимости намного больше характерной тепловой энергии kT, куда k это Постоянная Больцмана и Т это температура. Глубокие ловушки мешают более полезным видам допинг к компенсация доминирующий носитель заряда типа, аннигилирующего либо свободные электроны, либо электронные дыры в зависимости от того, какой из них более распространен. Они также напрямую мешают работе транзисторы, светодиоды и другие электронные и оптоэлектронные устройства, предлагая промежуточное состояние внутри запрещенной зоны. Ловушки глубокого уровня сокращают безызлучательное время жизни носителей заряда, и - через Процесс Шокли – Рида – Холла (SRH) - облегчить рекомбинацию миноритарные перевозчики, что отрицательно сказывается на характеристиках полупроводникового прибора. Следовательно, ловушки глубокого уровня не приветствуются во многих оптоэлектронных устройствах, поскольку они могут привести к низкой эффективности и достаточно большой задержке срабатывания.

Общий химические элементы которые вызывают глубокие дефекты в кремний включают утюг, никель, медь, золото, и серебро. В целом, переходные металлы производят этот эффект, а легкие металлы, такие как алюминий не.

Состояния поверхности и кристаллографические дефекты в кристаллической решетке также могут играть роль ловушек глубокого уровня.