DDR3 SDRAM - DDR3 SDRAM

Эта статья о оперативной памяти компьютера. Для графической памяти см. GDDR3. О мобильной памяти см. LPDDR3. Для видеоигры см. Танец Танцевальная революция 3rdMix.
DDR3 SDRAM
2013 Transcend TS512MLK72V6N- (выпрямленный) .jpg
4 ГиБ PC3-12800 ECC DDR3 DIMM
ТипСинхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM)
Дата выхода2007 (2007)
ПредшественникDDR2 SDRAM (2003)
ПреемникDDR4 SDRAM (2014)

Синхронная динамическая память с произвольным доступом с двойной скоростью передачи данных, официально сокращенно DDR3 SDRAM, это тип синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) с высоким пропускная способность ("двойная скорость передачи данных "), и используется с 2007 года. Это высокоскоростной преемник DDR и DDR2 и предшественник DDR4 синхронная динамическая память с произвольным доступом (SDRAM) чипы. DDR3 SDRAM не является ни тем, ни другим вперед ни обратная совместимость с любым более ранним типом оперативная память (RAM) из-за различных сигнальных напряжений, таймингов и других факторов.

DDR3 - это спецификация интерфейса DRAM. Фактические массивы DRAM, в которых хранятся данные, аналогичны более ранним типам с аналогичной производительностью. Основным преимуществом DDR3 SDRAM по сравнению с ее непосредственным предшественником, DDR2 SDRAM, является ее способность передавать данные с удвоенной скоростью (в восемь раз быстрее, чем ее массивы внутренней памяти), что обеспечивает более высокую пропускную способность или максимальную скорость передачи данных.

Стандарт DDR3 допускает емкость микросхемы DRAM до 8 гибибитс (Гибит) и до четырех разряды по 64 бита каждый, всего не более 16гибибайты (ГиБ) на DDR3 DIMM. Из-за аппаратного ограничения, которое не было исправлено до Ivy Bridge-E в 2013 году, большинство старых процессоров Intel поддерживают только микросхемы объемом до 4 ГБ для модулей DIMM емкостью 8 ГБ (наборы микросхем Intel Core 2 DDR3 поддерживают только до 2 ГБ). Все процессоры AMD правильно поддерживают полную спецификацию модулей DIMM DDR3 объемом 16 Гбайт.[1]

История

В феврале 2005 г. Samsung представила первый прототип микросхемы памяти DDR3. Samsung сыграла важную роль в разработке и стандартизации DDR3.[2][3] В мае 2005 года Дези Роден, председатель JEDEC комитет заявил, что DDR3 разрабатывалась «около 3 лет».[4]

DDR3 был официально запущен в 2007 году, но не ожидалось, что продажи превысят объем продаж DDR2 до конца 2009 года или, возможно, в начале 2010 года, по словам стратега Intel Карлоса Вайссенберга, выступавшего в начале их развертывания в августе 2008 года.[5] (Такие же сроки для проникновения на рынок указали исследование рынка компания DRAMeXchange более года назад в апреле 2007 г.[6] и Дези Роден в 2005 году.[4]) Основной движущей силой более широкого использования DDR3 были новые Core i7 процессоры Intel и Феном II процессоры AMD, оба из которых имеют контроллеры внутренней памяти: первый требует DDR3, второй рекомендует. IDC заявил в январе 2009 года, что продажи DDR3 будут составлять 29% от общего количества проданных единиц DRAM в 2009 году, а к 2011 году вырастут до 72%.[7]

Преемник

Основная статья: DDR4 SDRAM

В сентябре 2012 года JEDEC выпустила окончательную спецификацию DDR4.[8] Основные преимущества DDR4 по сравнению с DDR3 включают более высокий стандартизованный диапазон тактовые частоты и скорость передачи данных[9] и значительно ниже Напряжение.

Технические характеристики

Обзор

Физическое сравнение DDR, DDR2, и DDR3 SDRAM
Три длинные зеленые печатные платы, одинаковые по размеру, но с выемками в разных местах.
Настольные ПК (DIMM)
Три короткие зеленые печатные платы, одинаковые по размеру, но с выемками в разных местах
Ноутбуки и трансформируемые ПК (SO-DIMM)

По сравнению с памятью DDR2 память DDR3 потребляет меньше энергии. Некоторые производители также предлагают использовать "двухзатворные" транзисторы уменьшить утечка тока.[10]

В соответствии с JEDEC,[11]:111 1,575 В следует считать абсолютным максимумом, когда прежде всего важна стабильность памяти, например, в серверах или других критически важных устройствах. Кроме того, JEDEC заявляет, что модули памяти должны выдерживать напряжение до 1,80 вольт.[а] до нанесения необратимого ущерба, хотя они не обязаны правильно функционировать на этом уровне.[11]:109

Еще одно преимущество - это буфер предварительной выборки, что составляет 8 взрывов. В отличие от этого, буфер предварительной выборки DDR2 имеет 4 пакета, а буфер предварительной выборки DDR - 2 пакета. Это преимущество является технологией, обеспечивающей скорость передачи данных DDR3.

Модули DDR3 могут передавать данные со скоростью 800–2133MT / s с использованием как нарастание, так и на спад входов / выходов 400–1066 МГц Часы. Это в два раза выше скорости передачи данных DDR2 (400–1066 млн транзакций / с при использовании тактовой частоты ввода-вывода 200–533 МГц) и в четыре раза выше скорости передачи данных DDR (200–400 млн операций в секунду при частоте ввода-вывода 100–200 МГц). . Высокопроизводительная графика была первоначальным драйвером таких требований к пропускной способности, когда передача данных с высокой пропускной способностью между кадровые буферы необходимо.

Поскольку герц это мера циклы в секунду, и ни один сигнал не циклически повторяется чаще, чем любая другая передача, описание скорости передачи в единицах МГц технически неверно, хотя и очень часто. Это также вводит в заблуждение, потому что различные тайминги памяти указаны в тактовых циклах, которые составляют половину скорости передачи данных.

DDR3 действительно использует тот же стандарт электрической сигнализации, что и DDR и DDR2, Терминированная логика серии заглушек, хотя и с разным временем и напряжением. В частности, DDR3 использует SSTL_15.[13]

В феврале 2005 г. Samsung продемонстрировал первый прототип памяти DDR3, емкостью 512 МБ и пропускная способность 1.066 Гбит / с.[2] Продукция в виде материнских плат появилась на рынке в июне 2007 г.[14] на основе Intel с Чипсет P35 "Bearlake" с модулями DIMM с полосой пропускания до DDR3-1600 (PC3-12800).[15] В Intel Core i7, выпущенный в ноябре 2008 года, подключается непосредственно к памяти, а не через набор микросхем. Процессоры Core i7, i5 и i3 изначально поддерживали только DDR3. AMD с розетка AM3 Феном II Процессоры X4, выпущенные в феврале 2009 года, были первыми, кто поддерживал DDR3 (при этом все еще поддерживая DDR2 для обратной совместимости).

Двухрядные модули памяти

DDR3 двухрядные модули памяти (DIMM) имеют 240 контактов и электрически несовместимы с DDR2. Ключевой вырез, расположенный по-разному в модулях DIMM DDR2 и DDR3, предотвращает их случайную замену местами. Мало того, что они имеют разные ключи, у DDR2 есть закругленные выемки сбоку, а у модулей DDR3 есть квадратные выемки сбоку.[16] DDR3 SO-DIMM есть 204 контакта.[17]

Для Микроархитектура Skylake, Intel также разработала пакет SO-DIMM под названием UniDIMM, который может использовать чипы DDR3 или DDR4. Тогда встроенный контроллер памяти ЦП может работать с любым из них. Назначение модулей UniDIMM - обеспечить переход от DDR3 к DDR4, где цена и доступность могут сделать желательным переключение типа RAM. Модули UniDIMM имеют те же размеры и количество контактов, что и обычные модули DDR4 SO-DIMM, но выемка расположена по-другому, чтобы избежать случайного использования в несовместимом гнезде DDR4 SO-DIMM.[18]

Задержки

Задержки DDR3 численно выше, потому что шина ввода-вывода Часы циклы, которыми они измеряются, короче; Фактический временной интервал аналогичен задержкам DDR2, около 10 нс. Есть некоторые улучшения, поскольку DDR3 обычно использует более свежие производственные процессы, но это не напрямую связано с переходом на DDR3.

Задержка CAS (нс) = 1000 × CL (циклы) ÷ тактовая частота (МГц) = 2000 × CL (циклы) ÷ скорость передачи (MT / с)

Хотя типичный задержки для устройства JEDEC DDR2-800 были 5-5-5-15 (12,5 нс), некоторые стандартные задержки для устройств JEDEC DDR3 включают 7-7-7-20 для DDR3-1066 (13,125 нс) и 8-8-8- 24 для DDR3-1333 (12 нс).

Как и в случае с памятью предыдущих поколений, более быстрая память DDR3 стала доступна после выпуска начальных версий. Память DDR3-2000 с задержкой 9-9-9-28 (9 нс) была доступна вовремя, чтобы совпасть с выпуском Intel Core i7 в конце 2008 года.[19] в то время как более поздние разработки сделали DDR3-2400 широко доступной (с CL 9–12 циклов = 7,5–10 нс) и доступной скоростью до DDR3-3200 (с CL 13 циклов = 8,125 нс).

Потребляемая мощность

Энергопотребление отдельных микросхем SDRAM (или, соответственно, модулей DIMM) зависит от многих факторов, включая скорость, тип использования, напряжение и т. Д. Dell Power Advisor подсчитал, что модули RDIMM ECC DDR1333 объемом 4 ГБ потребляют около 4 Вт каждый.[20] Напротив, более современная основная часть для настольных ПК 8 ГБ, DDR3 / 1600 DIMM, рассчитана на 2,58 Вт, несмотря на то, что она значительно быстрее.[21]

Модули

ИмяЧипАвтобусСроки
СтандартТипМодульТактовая частота (МГц )Время цикла (нс )[22]Тактовая частота (МГц)Скорость передачи (МТ / с)Пропускная способность (МБ / с )CL-TУЗО-TRPЗадержка CAS (нс)
DDR3-800DPC3-64001001040080064005-5-512.5
E6-6-615
DDR3-1066EPC3-8500133⅓7.5533⅓1066.678533⅓6-6-611.25
F7-7-713.125
грамм8-8-815
DDR3-1333F *PC3-10600166⅔6666⅔1333⅓10666⅔7-7-710.5
грамм8-8-812
ЧАС9-9-913.5
J *10-10-1015
DDR3-1600ГРАММ*PC3-1280020058001600128008-8-810
ЧАС9-9-911.25
J10-10-1012.5
K11-11-1113.75
DDR3-1866DDR3-1866J *
DDR3-1866K
DDR3-1866L
DDR3-1866M *		PC3-14900233⅓4.2860933⅓1866⅔14933⅓10-10-10
11-11-11
12-12-12
13-13-13		10.56
11.786
12.857
13.929
DDR3-2133DDR3-2133K *
DDR3-2133L
DDR3-2133M
DDR3-2133N *		PC3-17000266⅔3.751066⅔2133⅓17066⅔11-11-11
12-12-12
13-13-13
14-14-14		10.313
11.25 
12.188
13.125 

* необязательный

DDR3-xxx обозначает скорость передачи данных и описывает микросхемы DDR, тогда как PC3-xxxx обозначает теоретическую полосу пропускания (с усеченными двумя последними цифрами) и используется для описания собранных модулей DIMM. Пропускная способность рассчитывается путем умножения количества передач в секунду на восемь. Это связано с тем, что модули памяти DDR3 передают данные по шине шириной 64 бита, а поскольку байт состоит из 8 бит, это равняется 8 байтам данных за одну передачу.

С двумя передачами за цикл четырехкратного тактовый сигнал, а 64-кусочек широкий модуль DDR3 может достигать скорости передачи до 64 раз больше памяти Часы скорость. При передаче данных по 64 бита за один модуль памяти, DDR3 SDRAM обеспечивает скорость передачи (тактовая частота памяти) × 4 (для умножителя тактовой частоты шины) × 2 (для скорости передачи данных) × 64 (количество переданных битов) / 8. (количество бит в байте). Таким образом, при тактовой частоте памяти 100 МГц DDR3 SDRAM дает максимальную скорость передачи 6400 МБ / с.

Скорость передачи данных (в МТ / с ) вдвое превышает тактовую частоту шины ввода-вывода (в МГц ) из-за двойная скорость передачи данных памяти DDR. Как объяснялось выше, пропускная способность в МБ / с - это скорость передачи данных, умноженная на восемь.

CL - Задержка CAS такты, между отправкой адреса столбца в память и началом данных в ответ

tRCD - Тактовые циклы между активацией строки и чтением / записью

tRP - Тактовые циклы между предварительной зарядкой строки и активацией

Частоты дробной части обычно округляются в меньшую сторону, но обычно округление до 667, поскольку точное число составляет 666⅔ и округляется до ближайшего целого числа. Некоторые производители также округляют до определенной точности или вместо этого округляют в большую сторону. Например, память PC3-10666 может быть указана как PC3-10600 или PC3-10700.[23]

Примечание: Все перечисленные выше позиции указаны JEDEC как JESD79-3F.[11]:157–165Все скорости передачи данных RAM между этими перечисленными спецификациями или выше не стандартизированы JEDEC - часто они просто оптимизируются производителем с использованием микросхем с более высокими допусками или повышенного напряжения. Из этих нестандартных спецификаций максимальная скорость, о которой сообщалось, по состоянию на май 2010 года была эквивалентна DDR3-2544.[24]

Альтернативное именование: Модули DDR3 часто неправильно маркируются с префиксом PC (вместо PC3) по маркетинговым причинам, за которым следует скорость передачи данных. Согласно этому соглашению, PC3-10600 указан как PC1333.[25]

Обнаружение последовательного присутствия

Память DDR3 использует обнаружение серийного присутствия.[26] Обнаружение последовательного присутствия (SPD) - это стандартизированный способ автоматического доступа к информации о модуль памяти компьютера, используя последовательный интерфейс. Обычно используется во время самотестирование при включении для автоматической настройки модулей памяти.

Выпуск 4

Выпуск 4 DDR3 Обнаружение последовательного присутствия В документе (SPD) (SPD4_01_02_11) добавлена ​​поддержка модулей DIMM для снижения нагрузки, а также модулей DIMM 16b-SO-DIMM и 32b-SO-DIMM.

Ассоциация твердотельных технологий JEDEC объявила о публикации версии 4 документа DDR3 Serial Presence Detect (SPD) 1 сентября 2011 года.[27]

Расширение XMP

Корпорация Intel официально представила профиль памяти eXtreme (XMP ) Спецификация от 23 марта 2007 г., позволяющая энтузиастам расширить возможности традиционного JEDEC. СПД спецификации для DDR3 SDRAM.[28]

Варианты

В дополнение к обозначениям полосы пропускания (например, DDR3-800D) и вариантам емкости модули могут быть одним из следующих:

  1. Память ECC, который имеет дополнительную полосу байтов данных, используемую для исправления незначительных ошибок и обнаружения основных ошибок для повышения надежности. Модули с ECC обозначаются дополнительным ECC или же E в их обозначении. Например: «PC3-6400 ECC» или PC3-8500E.[29]
  2. Зарегистрированная или буферная память, что улучшает целостность сигнала (и, следовательно, потенциально тактовую частоту и физическую емкость слотов) за счет электрической буферизации сигналов с регистр, за счет дополнительных часов с увеличенной задержкой. Эти модули обозначены дополнительным р в их обозначении, например PC3-6400R.[30]
  3. Незарегистрированный (a.k.a. "небуферизованный ") БАРАН может быть определены дополнительным U в обозначении.[30]
  4. Полностью буферизованный модули, которые обозначены F или же FB и не имеют такого же положения надреза, как другие классы. Модули с полной буферизацией не могут использоваться с материнскими платами, предназначенными для зарегистрированных модулей, а другое положение выемки физически препятствует их установке.
  5. Нагрузка уменьшена модули, которые обозначены LR и аналогичны зарегистрированной / буферизированной памяти в том смысле, что модули LRDIMM буферизуют как линии управления, так и линии данных, сохраняя при этом параллельный характер всех сигналов. Таким образом, память LRDIMM обеспечивает большую общую максимальную емкость памяти, решая при этом некоторые проблемы производительности и энергопотребления. FB память, вызванная требуемым преобразованием между последовательной и параллельной формами сигнала.

Типы памяти FBDIMM (с полной буферизацией) и LRDIMM (с уменьшенной нагрузкой) предназначены в первую очередь для управления величиной электрического тока, протекающего к микросхемам памяти и от них в любой момент времени. Они несовместимы с зарегистрированной / буферизованной памятью, и материнские платы, которым они необходимы, обычно не поддерживают другие типы памяти.

Расширения DDR3L и DDR3U

В DDR3L (DDR3 Low Voltage) является дополнением к стандарту устройств памяти DDR3 JESD79-3, определяющим устройства низкого напряжения.[31] Стандарт DDR3L - 1,35 В и имеет этикетку PC3L для его модулей. Примеры включают DDR3L ‐ 800 (PC3L-6400), DDR3L ‐ 1066 (PC3L-8500), DDR3L ‐ 1333 (PC3L-10600) и DDR3L ‐ 1600 (PC3L-12800). Память, указанная в спецификациях DDR3L и DDR3U, совместима с исходным стандартом DDR3 и может работать как при более низком напряжении, так и при 1,50 В.[32] Однако устройства, которым явно требуется DDR3L, которые работают при 1,35 В, например системы, использующие мобильные версии процессоров Intel Core четвертого поколения, несовместимы с памятью DDR3 1,50 В.[33]

В DDR3U (DDR3 Ultra Low Voltage) стандартное значение составляет 1,25 В и имеет этикетку PC3U для его модулей.[34]

Ассоциация твердотельных технологий JEDEC объявила о публикации JEDEC DDR3L 26 июля 2010 г.[35] и DDR3U в октябре 2011 года.[36]

Обзор функций

Составные части

  • Введение асинхронного вывода RESET
  • Поддержка компенсации времени полета на системном уровне
  • На-DIMM Распиновка DRAM для зеркального отображения
  • Введение CWL (задержки записи CAS) на тактовый лоток
  • Встроенный механизм калибровки ввода / вывода
  • ЧИТАТЬ и ЗАПИСАТЬ калибровку
  • Функция Dynamic ODT (On-Die-Termination) позволяет использовать разные значения завершения для операций чтения и записи.

Модули

  • Пролетная шина команд / адреса / управления с оконечной нагрузкой на DIMM
  • Прецизионные калибровочные резисторы
  • Находятся нет обратно совместимый - модули DDR3 не помещаются в разъемы DDR2; их применение может повредить DIMM и / или материнскую плату.[37]

Технологические преимущества перед DDR2

  • Более высокая пропускная способность, стандартизовано до 2133 млн транзакций в секунду
  • Немного улучшенные задержки, измеренные в наносекундах
  • Более высокая производительность при низком энергопотреблении (более длительный срок службы батареи в ноутбуках)
  • Расширенные функции с низким энергопотреблением

Смотрите также

Примечания

  1. ^ До версии F в стандарте указывалось, что 1,975 В было абсолютным максимальным номинальным напряжением постоянного тока.[12]

Рекомендации

  1. ^ Катресс, Ян (2014-02-11). «I'M Intelligent Memory для выпуска незарегистрированных модулей DDR3 емкостью 16 ГБ». anandtech.com. Получено 2015-04-20.
  2. ^ а б «Samsung демонстрирует первый в мире прототип памяти DDR 3». Phys.org. 17 февраля 2005 г.. Получено 23 июн 2019.
  3. ^ «Наше гордое наследие с 2000 по 2009 год». Samsung Semiconductor. Samsung. Получено 25 июн 2019.
  4. ^ а б Соболев, Вячеслав (31.05.2005). «JEDEC: стандарты памяти на подходе». DigiTimes.com. Архивировано из оригинал 13 апреля 2013 г.. Получено 2011-04-28. JEDEC уже активно работает над стандартом DDR3, и мы работаем над ним уже около трех лет .... Следуя историческим моделям, можно было бы разумно ожидать того же трехлетнего перехода на новую технологию, который у вас есть. замечено за последние несколько поколений стандартной памяти
  5. ^ «IDF:» DDR3 не догонит DDR2 в 2009 г."". pcpro.co.uk. 19 августа 2008 г. Архивировано с оригинал на 2009-04-02. Получено 2009-06-17.
  6. ^ Брайан, Гардинер (17 апреля 2007 г.). «Память DDR3 не станет популярной до 2009 года». ExtremeTech.com. Получено 2009-06-17.
  7. ^ Солсбери, Энди (20 января 2009 г.). «Новый 50-нм процесс сделает DDR3 быстрее и дешевле в этом году». MaximumPC.com. Получено 2009-06-17.
  8. ^ «JEDEC объявляет о выпуске стандарта DDR4 - JEDEC». JEDEC. Получено 12 октября 2014.
  9. ^ Шилов, Антон (16 августа 2010 г.). «Память DDR4 нового поколения с тактовой частотой 4,266 ГГц - отчет». XbitLabs.com. Архивировано из оригинал 19 декабря 2010 г.. Получено 2011-01-03.
  10. ^ Макклоски, Алан, Исследование: FAQ по DDR, заархивировано из оригинал на 2007-11-12, получено 2007-10-18
  11. ^ а б c «Стандарт DDR3 SDRAM (редакция F)». JEDEC. Июль 2012 г.. Получено 2015-07-05.
  12. ^ «Стандарт DDR3 SDRAM (редакция E)» (PDF). JEDEC. Июль 2010 г.. Получено 2015-07-05.
  13. ^ Чанг, Джаки (2004). «Рекомендации по проектированию подсистемы памяти DDR3» (PDF). Jedex. п. 4. Архивировано из оригинал (PDF) на 2012-07-24. Получено 2020-08-12.
  14. ^ Содерстрем, Томас (2007-06-05). "Pipe Dreams: сравнение шести материнских плат P35-DDR3". Оборудование Тома.
  15. ^ Финк, Уэсли (2007-07-20). «Супер таланты и команда: DDR3-1600 уже здесь!». AnandTech.
  16. ^ "DocMemory" (21.02.2007). "Изображение модуля памяти 2007".
  17. ^ «Спецификация конструкции 204-контактного небуферизованного модуля SODIMM DDR3 SDRAM». JEDEC. Май 2014 г.. Получено 2015-07-05.
  18. ^ «Как Intel планирует перейти с DDR3 на DDR4 для массового использования». techpowerup.com. Получено 19 марта 2018.
  19. ^ Шилов, Антон (29.10.2008). «Kingston выпускает первые в отрасли модули памяти 2 ГГц для платформ Intel Core i7». Xbit Laboratories. Архивировано из оригинал на 2008-11-01. Получено 2008-11-02.
  20. ^ «Советник по интеллектуальным решениям Dell Energy». Essa.us.dell.com. Архивировано из оригинал на 2013-08-01. Получено 2013-07-28.
  21. ^ http://www.kingston.com/dataSheets/KVR16N11_8.pdf
  22. ^ Время цикла обратно пропорционально тактовой частоте шины ввода-вывода; например, 1 / (100 МГц) = 10 нс на такт.
  23. ^ Pc3 10600 против pc3 10666 В чем разница - New-System-Build, Tomshardware.com, получено 2012-01-23
  24. ^ DDR3 Kingston с частотой 2544 МГц на выставке Computex, News.softpedia.com, 31 мая 2010 г., получено 2012-01-23
  25. ^ Crucial Value CT2KIT51264BA1339 PC1333 4 ГБ оперативной памяти (DDR3, CL9) Розничная торговля, www.amazon.co.uk, 2016-05-10, получено 2016-05-10
  26. ^ «Общие сведения о таблице обнаружения последовательного присутствия DDR3 (SPD)». simmtester.com. Получено 12 декабря 2015.
  27. ^ «JEDEC объявляет о публикации версии 4 спецификации DDR3 Serial Presence Detect».
  28. ^ «Технология Intel Extreme memory Profile (Intel XMP) DDR3» (PDF). Получено 2009-05-29.
  29. ^ Эволюция технологий памяти: обзор технологий системной памяти (PDF), Hewlett-Packard, стр. 18, заархивировано оригинал (PDF) на 2011-07-24
  30. ^ а б «Что такое LR-DIMM, память LRDIMM? (DIMM с уменьшением нагрузки)». simmtester.com. Получено 2014-08-29.
  31. ^ «Дополнение № 1 к JESD79-3 - 1,35 В DDR3L-800, DDR3L-1066, DDR3L-1333, DDR3L-1600 и DDR3L-1866». Май 2013. Получено 2019-09-08.
  32. ^ «Дополнение № 1 к JESD79-3 - 1,35 В DDR3L-800, DDR3L-1066, DDR3L-1333, DDR3L-1600 и DDR3L-1866». Май 2013. Получено 2019-09-08. DDR3L Требования VDD / VDDQ - Источник питания: работа DDR3L = от 1,283 В до 1,45 В; Работа DDR3 = от 1,425 В до 1,575 В. После инициализации для работы DDR3L операция DDR3 может использоваться только в том случае, если устройство находится в состоянии сброса, в то время как VDD и VDDQ изменяются для работы DDR3
  33. ^ "Что такое память DDR3L?". Dell.com. Dell. 2016-10-03. Получено 2016-10-04.
  34. ^ "Приложение № 2 к JESD79-3, 1,25 В DDR3U-800, DDR3U-1066, DDR3U-1333 и DDR3U-1600". Октябрь 2011 г.. Получено 2019-09-08.
  35. ^ «Спецификация будет способствовать снижению энергопотребления бесчисленного количества бытовой электроники, сетевых и компьютерных продуктов».
  36. ^ "Приложение № 2 к JESD79-3, 1,25 В DDR3U-800, DDR3U-1066, DDR3U-1333 и DDR3U-1600".
  37. ^ «DDR3: часто задаваемые вопросы» (PDF). Архивировано из оригинал (PDF) на 2009-12-29. Получено 2009-08-18.

внешняя ссылка