Биджан Давари - Bijan Davari

Биджан Давари
Родившийся1954
Тегеран, Иран
ГражданствоАмериканец (ранее Иранский )
ОбразованиеКандидат наук.
Инженерная карьера
ДисциплинаКомпьютерная инженерия
УчрежденияRPI, IBM
Работодатель (ы)IBM
ПроектыCMOS-5X, IBM RoadRunner,
Значительный прогрессCMOS, STI
НаградыСотрудник IBM, Премия Дж. Дж. Эберса, Премия IEEE Эндрю С. Гроув

Биджан Давари является Ирано-американский инженер. Он IBM Научный сотрудник и вице-президент Исследовательский центр IBM Томаса Дж. Уотсона, Yorktown Hts, Нью-Йорк. Его новаторская работа в миниатюризация из полупроводниковые приборы изменил мир вычисление.[1] Его исследования привели к созданию первого поколения приборов с шкалой напряжения. глубоко-субмикронный CMOS с достаточной производительностью, чтобы полностью заменить биполярную технологию в мэйнфреймах IBM и создать новые высокопроизводительные серверы UNIX. Ему приписывают ведущую роль IBM в использовании меди и кремния в изоляторах раньше, чем у конкурентов.[2] Он является членом Национальной инженерной академии США.[3] и известен своим плодотворным вкладом в сферу CMOS технологии. Он является членом IEEE, получателем Премия Дж. Дж. Эберса в 2005 году[4] и Премия IEEE Эндрю С. Гроув в 2010.[5] В настоящее время он возглавляет направление исследований систем следующего поколения.

Образование

Биджан Давари родился в Тегеран, Иран, в 1954 г.[6] Он получил степень бакалавра электротехники в Технологический университет Шарифа, Тегеран, Иран, и его степень магистра от Политехнический институт Ренсселера (RPI). Он получил докторскую степень в RPI, а также диссертацию о поведении интерфейса полупроводниковых устройств, и присоединился к Исследовательский центр IBM Томаса Дж. Уотсона в 1984 г.

Технические достижения

В IBM Давари работал над способами улучшения МОП-транзистор (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник)[7] и CMOS (комплементарный металл-оксид-полупроводник) технология,[8] который составляет основу многих сегодняшних полупроводник обработка. В 1985 году Давари приступил к задаче определения следующего поколения интегральных схем CMOS от IBM, которые стали называть CMOS-5X. Он руководил исследованиями, в результате которых было создано первое поколение высокопроизводительной низковольтной глубокой субмикронной КМОП-технологии. CMOS-5X послужил основой для PowerPC® 601+ и нескольких других микропроцессоров, в том числе используемых в серверах IBM System / 390.[9]

Давари определил план развития технологий и масштабирования напряжения для IBM [10] что повлияло на дорожную карту CMOS для отрасли вплоть до режима 70 нм. Эта технология привела к появлению нескольких поколений высокопроизводительных, низковольтных и маломощных КМОП-технологий, которые сделали серверы портативными. компьютеры портативные устройства с батарейным питанием.

Давари и его команда в IBM также продемонстрировали первый изоляция неглубоких траншей (STI) процесс.[11] STI помогает предотвратить утечку электрического тока между полупроводниковыми приборами на интегральной схеме. Процесс STI был впервые использован в 0,5-микрометровом технологическом узле IBM для высокопроизводительной логики CMOS и в 16-мегабитной динамической памяти. В конечном итоге он получил широкое распространение в отрасли.[12]

В 1987 году Давари возглавил исследовательскую группу IBM, которая продемонстрировала первый MOSFET с 10 нанометров оксид ворот толщина, используя вольфрам -вратная технология.[7] В 1988 году он возглавил команду IBM, которая продемонстрировала высокую производительность. двойные ворота CMOS устройства с 180 нм к 250 нм длины каналов.[8][13]

Давари был одним из лидеров Ячейка широкополосного доступа работа в IBM, которая была использована для создания первого суперкомпьютера на базе Cell, IBM Roadrunner. В 2008 году суперкомпьютер Roadrunner первым преодолел барьер в петафлопс,[14] достигая скорости обработки 1,026 петафлопс.[15]

Избранные награды и награды

Рекомендации

  1. ^ "Список почета: Биджан Давари". Общество истории информационных технологий.
  2. ^ "Перестановки в IBM Micro позволяют Давари занять новую должность". EE Times. 6 августа 2003 г.
  3. ^ "Цитата для Биджана Давари".
  4. ^ IEEE. "Список лауреатов премии Дж. Дж. Эберса". IEEE. Архивировано из оригинал на 2013-01-09. Получено 2016-09-27.
  5. ^ IEEE. «Список лауреатов премии Эндрю Гроув».
  6. ^ "Game Changers". Журнал IBM Systems. Архивировано из оригинал на 2013-03-12. Получено 2016-09-27.
  7. ^ а б Давари, Биджан; Тинг, Чунг-Ю; Ahn, Kie Y .; Basavaiah, S .; Ху, Чао-Кун; Таур, юань; Wordeman, Matthew R .; Абоэльфото, О. (1987). «Субмикронный МОП-транзистор с вольфрамовым затвором и оксидом затвора 10 нм». 1987 Симпозиум по технологии СБИС. Сборник технических статей: 61–62.
  8. ^ а б Давари, Биджан; и другие. (1988). «Высокопроизводительная КМОП-технология 0,25 мкм». Международная конференция по электронным устройствам. Дои:10.1109 / IEDM.1988.32749.
  9. ^ "Биджан Давари". Профиль иранских ученых.
  10. ^ Давари, Биджан; и другие. (Апрель 1995 г.). «Масштабирование CMOS для достижения высокой производительности и низкого энергопотребления - следующие десять лет» (PDF). Труды IEEE. 83 (4): 595–606. Дои:10.1109/5.371968.
  11. ^ Давари, Биджан; и другие. (1988). «Технология изоляции неглубоких траншей переменного размера с диффузным легированием боковых стенок для субмикронной КМОП-матрицы». IEDM.
  12. ^ «Биджан Давари, руководитель отдела стратегических технологий, получит премию Эндрю С. Гроува 2010 IEEE» (PDF). Пресс-релиз IEEE. 23 ноября 2010. Архивировано с оригинал (PDF) 20 декабря 2016 г.. Получено 28 сентября 2016.
  13. ^ Давари, Биджан; Wong, C.Y .; Сунь, Джек Юань-Чен; Таур, Юань (декабрь 1988 г.). «Легирование поликремния n / sup + / и p / sup + / в процессе CMOS с двумя затворами». Технический дайджест., Международная конференция по электронным устройствам: 238–241. Дои:10.1109 / IEDM.1988.32800.
  14. ^ «Список 500 лучших суперкомпьютеров». top500.org. Июнь 2008 г.
  15. ^ IBM. "Ячейка широкополосного доступа". История IBM. IBM.