Антонио Х. Кастро Нето - Antonio H. Castro Neto

Антонио Х. Кастро Нето
Антонио Хелио Кастро Нето 10 января 2020 годаb.jpg
Кастро Нето в январе 2020 года
Родившийся(1964-08-20)20 августа 1964 г.[1]
Паранагуа, Бразилия
Альма-матерИллинойсский университет в Урбана-Шампейн[2]
Награды
Интернет сайтhttps://graphene.nus.edu.sg/team_member/antonio-castro-neto

Антонио Хелио де Кастро Нето родился в Бразилии физик. Он является основателем и директором Центр передовых 2D-материалов[8] (ранее известный как Центр исследования графена[9]) на Национальный университет Сингапура. Он теоретик конденсированного состояния, известный своими работами в области теории металлы, магниты, сверхпроводники, графен и двумерные материалы. Он является выдающимся профессором кафедры материаловедения, инженерии,[10] и физика[11] и профессор кафедры электротехники и вычислительной техники.[3] Он был избран членом Американское физическое общество в 2003 г.[12] В 2011 году он был избран членом Американская ассоциация развития науки.[13]

Образование и карьера

В 1984 году Кастро Нето поступил в Государственный университет Кампинаса. (UNICAMP),[нужна цитата ] где он начал свои исследования в области физики элементарных частиц, прежде чем перейти к физике конденсированного состояния. В Кампинасе он закончил бакалавриат и Магистр естественных наук степень по физике под руководством Амира О. Калдейры. В 1991 году переехал в Соединенные Штаты где он получил свой кандидат наук степень в Иллинойсский университет в Урбана-Шампейн под руководством Эдуардо Фрадкина.[14][2] Его кандидатская диссертация была посвящена пониманию и описанию низкоэнергетических возбуждений Ферми жидкости.[14]

После окончания института в 1994 году он переехал в США, чтобы поступить в Институт теоретической физики (ныне Кавли Институт теоретической физики ) на Калифорнийский университет в Санта-Барбаре где он изучал электронные свойства наноматериалов и наноструктуры под руководством Мэтью Фишера. В 1995 году Раймонд Орбах, в то время канцлер Калифорнийский университет, Риверсайд, приняли его на работу доцентом. В Риверсайде Кастро Нето написал фундаментальные статьи по теории неупорядоченных магнитных металлических сплавов.[15][16] В 2000 году Кастро Нето переехал в Бостонский университет как профессор физики. В Бостоне Кастро Нето был одним из первых теоретиков, изучивших электронные свойства графена, которые были выделены Андре Гейм, Костя Новоселов, и их коллеги в Манчестерский университет, и сообщается в статье, опубликованной в журнале Наука в октябре 2004 г.[17]

Находясь в Бостоне, Кастро Нето и его сотрудники исследовали необычные свойства электронных возбуждений в графене в терминах безмассовых дираковских электронов и предсказали аномальные квантовый эффект холла. Их оригинальная работа, представленная в мае 2005 г.[18] Было отказано. Несколько месяцев спустя Гейм и его сотрудники опубликовали статью в Природа подтверждая их экспериментальное предсказание.[19] Длинная версия оригинальной работы была опубликована почти год спустя в Физический обзор B[20]

Кастро Нето продолжил публикации по теоретическим аспектам графена и предсказал несколько других явлений, которые в конечном итоге наблюдались экспериментально, например, влияние вакансий на электронные свойства графена;[21] электронные свойства двухслойного графена;[22] сверхпроводимость в графене;[23] твистроникс в графене;[24][25] Кулоновская блокада в мезоскопических структурах графена;[26] атомный коллапс в примесях заряда в графене;[27] локализованные магнитные состояния в графене;[28] открытие щели в смещенном двухслойном графене;[29] инженерия деформаций в графене;[30] спин-орбитальный эффект в графене, индуцированный примесью,[31] среди прочего. В 2009 году Кастро Нето опубликовал один из самых цитируемых обзоров всех времен в мире. Обзоры современной физики.[32] В результате в 2010 году Кастро Нето был приглашен и принят на должность редактора коллоквиумов.[33] раздел РМП.[34] В 2016 году Thomson Reuters признало Кастро Нето одним из первых 1% исследователей по наиболее цитируемым документам в области физики.[35] Он достиг такого же признания благодаря Clarivate Analytics с 2017 по 2019 гг.[36][37][38] Его работы цитировались более 51 102 раз, и он индекс Хирша из 90.[нужна цитата ] Из-за его вклада в область графена и 2D материалов Кастро Нето был назван «крестным отцом графена».[39]

В 2008 году Кастро Нето был нанят для создания первого в мире исследовательского центра графена в Национальном университете Сингапура. Центр исследования графена (GRC) был создан в 2010 году.[40] с оборудованием для синтеза, определения характеристик и изготовления устройств из графена.[41] В 2014 году GRC был расширен за счет гранта Национального исследовательского фонда Сингапура для исследования других 2D-материалов помимо графена и их гетероструктур.[42] с созданием Центра современных 2D материалов.[43]

Кастро Нето также известен своей работой против использования поддельного графена в промышленных приложениях.[44][45] и его идеи относительно использования графена в космосе.[46]

Кастро Нето также является предпринимателем и основал 4 компании в Сингапуре: 2D-материалы; MADE Advanced материалы; ФАЗОВЫЕ События; и Graphene Watts.[47]

Рекомендации

  1. ^ http://physics.bu.edu/~neto/curr.pdf
  2. ^ а б c "Физика - Антонио Х. Кастро Нето". Physics.aps.org.
  3. ^ а б https://www.eng.nus.edu.sg/ece/staff/castro-neto-antonio-helio/
  4. ^ "Профессор Антонио Х. Кастро Нето назначен почетным приглашенным профессором кафедры SAINT |". 3 сентября 2012 г.
  5. ^ Наука, Американская ассоциация содействия развитию (30 ноября 2012 г.). "Новости и заметки AAAS". Наука. 338 (6111): 1166–1171. Bibcode:2012Научный ... 338.1166.. Дои:10.1126 / science.338.6111.1166.
  6. ^ "ITF Утрехт". web.science.uu.nl.
  7. ^ «Кафедра теоретической физики Крамерса». Утрехтский университет. Получено 14 февраля 2020.
  8. ^ "Антонио Кастро Нето |".
  9. ^ "О НАС |".
  10. ^ https://www.eng.nus.edu.sg/mse/staff/castro-neto-antonio-helio/
  11. ^ «Кафедра физики». www.physics.nus.edu.sg.
  12. ^ "APS Fellowship". www.aps.org.
  13. ^ https://www.aaas.org/sites/default/files/AR_2012_AAAS-fellows.pdf
  14. ^ а б Нето, А. Х. Кастро; Фрадкин, Эдуардо (15 апреля 1994 г.). «Бозонизация ферми-жидкостей». Физический обзор B. 49 (16): 10877–10892. arXiv:cond-mat / 9307005. Bibcode:1994PhRvB..4910877C. Дои:10.1103 / PhysRevB.49.10877. PMID  10009931. S2CID  14320891.
  15. ^ Castro Neto, A.H .; Castilla, G .; Джонс, Б.А. (19 октября 1998 г.). «Поведение неферми-жидкости и фаза Гриффитса в $ mathit {f} $ - электронных соединениях». Письма с физическими проверками. 81 (16): 3531–3534. arXiv:cond-mat / 9710123. Дои:10.1103 / PhysRevLett.81.3531. S2CID  119363946.
  16. ^ де Андраде, М. С .; Chau, R .; Dickey, R.P .; Dilley, N.R .; Freeman, E.J .; Гаевски, Д. А .; Maple, M. B .; Мовшович, Р .; Castro Neto, A.H .; Castilla, G .; Джонс, Б.А. (21 декабря 1998 г.). "Доказательства общего физического описания неферми-жидкостного поведения в химически замещенных $ mathit {f} $ - электронных системах". Письма с физическими проверками. 81 (25): 5620–5623. arXiv:cond-mat / 9802081. Дои:10.1103 / PhysRevLett.81.5620. S2CID  119532164.
  17. ^ Новоселов, К. С .; Гейм, А.К .; Морозов, С. В .; Jiang, D .; Zhang, Y .; Dubonos, S. V .; Григорьева, И. В .; Фирсов А.А. (22 октября 2004 г.). «Эффект электрического поля в атомно тонких углеродных пленках». Наука. 306 (5696): 666–669. arXiv:cond-mat / 0410550. Bibcode:2004Наука ... 306..666N. Дои:10.1126 / science.1102896. PMID  15499015. S2CID  5729649.
  18. ^ Перес, Н. М. Р .; Гвинея, Ф .; Нето, А. Х. Кастро (13 июля 2006 г.). «Электронные свойства двумерного углерода». Анналы физики. 321 (7): 1559–1567. arXiv:cond-mat / 0506709. Bibcode:2006АнФи.321.1559П. Дои:10.1016 / j.aop.2006.04.006. S2CID  119495511.
  19. ^ Новоселов, К. С .; Гейм, А.К .; Морозов, С. В .; Jiang, D .; Katsnelson, M. I .; Григорьева, И. В .; Dubonos, S. V .; Фирсов А.А. (9 ноября 2005 г.). «Двумерный газ безмассовых дираковских фермионов в графене». Природа. 438 (7065): 197–200. arXiv:cond-mat / 0509330. Bibcode:2005Натура.438..197Н. Дои:10.1038 / природа04233. PMID  16281030. S2CID  3470761.
  20. ^ Перес, Н. М. Р .; Гвинея, Ф .; Кастро Нето, А. Х. (16 марта 2006 г.). «Электронные свойства неупорядоченного двумерного углерода». Физический обзор B. 73 (12): 125411. arXiv:cond-mat / 0512091. Bibcode:2006ПхРвБ..73л5411П. Дои:10.1103 / PhysRevB.73.125411. S2CID  119394901.
  21. ^ Pereira, Vitor M .; Гвинея, Ф .; Lopes dos Santos, J.M.B .; Перес, Н. М. Р .; Кастро Нето, А. Х. (23 января 2006 г.). "Вызванные беспорядком локализованные состояния в графене". Письма с физическими проверками. 96 (3): 036801. arXiv:cond-mat / 0508530. Bibcode:2006PhRvL..96c6801P. Дои:10.1103 / PhysRevLett.96.036801. PMID  16486750. S2CID  123049.
  22. ^ Нильссон, Йохан; Castro Neto, A.H .; Перес, Н. М. Р .; Гвинея, Ф. (12 июня 2006 г.). «Электрон-электронные взаимодействия и фазовая диаграмма бислоя графена». Физический обзор B. 73 (21): 214418. arXiv:cond-mat / 0512360. Bibcode:2006PhRvB..73u4418N. Дои:10.1103 / PhysRevB.73.214418. S2CID  119461714.
  23. ^ Учоа, Бруно; Кастро Нето, А. Х. (3 апреля 2007 г.). «Сверхпроводящие состояния чистого и легированного графена». Письма с физическими проверками. 98 (14): 146801. arXiv:cond-mat / 0608515. Bibcode:2007PhRvL..98n6801U. Дои:10.1103 / PhysRevLett.98.146801. PMID  17501299. S2CID  17759190.
  24. ^ «Как искривленный графен стал большим предметом в физике». Журнал Quanta.
  25. ^ Lopes dos Santos, J.M.B .; Перес, Н. М. Р .; Кастро Нето, А. Х. (19 декабря 2007 г.). "Двухслойный графен с твистом: электронная структура". Письма с физическими проверками. 99 (25): 256802. arXiv:0704.2128. Bibcode:2007PhRvL..99y6802L. Дои:10.1103 / PhysRevLett.99.256802. PMID  18233543. S2CID  46061320.
  26. ^ Sols, F .; Гвинея, Ф .; Нето, А. Х. Кастро (16 октября 2007 г.). «Кулоновская блокада в графеновых нанолентах». Письма с физическими проверками. 99 (16): 166803. arXiv:0705.3805. Bibcode:2007ПхРвЛ..99п6803С. Дои:10.1103 / PhysRevLett.99.166803. PMID  17995278. S2CID  16222533.
  27. ^ Pereira, Vitor M .; Нильссон, Йохан; Кастро Нето, А. Х. (15 октября 2007 г.). «Проблема кулоновской примеси в графене». Письма с физическими проверками. 99 (16): 166802. arXiv:0706.2872. Bibcode:2007ПхРвЛ..99п6802П. Дои:10.1103 / PhysRevLett.99.166802. PMID  17995277. S2CID  15785530.
  28. ^ Учоа, Бруно; Котов, Валерий Н .; Перес, Н. М. Р .; Кастро Нето, А. Х. (11 июля 2008 г.). «Локализованные магнитные состояния в графене». Письма с физическими проверками. 101 (2): 026805. arXiv:0802.1711. Bibcode:2008PhRvL.101b6805U. Дои:10.1103 / PhysRevLett.101.026805. PMID  18764214. S2CID  14140262.
  29. ^ Кастро, Эдуардо В .; Новоселов, К. С .; Морозов, С. В .; Перес, Н. М. Р .; душ Сантуш, Дж. М. Б. Лопес; Нильссон, Йохан; Гвинея, Ф .; Гейм, А.К .; Нето, А. Х. Кастро (20 ноября 2007 г.). "Смещенный двухслойный графен: полупроводник с зазором, настраиваемым с помощью эффекта электрического поля". Письма с физическими проверками. 99 (21): 216802. arXiv:cond-mat / 0611342. Bibcode:2007PhRvL..99u6802C. Дои:10.1103 / PhysRevLett.99.216802. HDL:10261/28539. PMID  18233240. S2CID  28936181.
  30. ^ Перейра, Витор; Кастро Нето, Антонио (2009). «Полностью графеновые интегральные схемы посредством деформационной инженерии». Phys. Rev. Lett. 103 (4): 046801. arXiv:0810.4539. Bibcode:2008arXiv0810.4539P. Дои:10.1103 / PhysRevLett.103.046801. PMID  19659379 - через ResearchGate.
  31. ^ Castro Neto, A.H .; Гвинея, Ф. (10 июля 2009 г.). "Индуцированная примесью спин-орбитальная связь в графене". Письма с физическими проверками. 103 (2): 026804. arXiv:0902.3244. Bibcode:2009PhRvL.103b6804C. Дои:10.1103 / PhysRevLett.103.026804. PMID  19659232. S2CID  15029721.
  32. ^ Castro Neto, A.H .; Гвинея, Ф .; Перес, Н. М. Р .; Новоселов, К. С .; Гейм А.К. (14 января 2009 г.). «Электронные свойства графена». Обзоры современной физики. 81 (1): 109–162. arXiv:0709.1163. Bibcode:2009RvMP ... 81..109C. Дои:10.1103 / RevModPhys.81.109. HDL:10261/18097. S2CID  5650871.
  33. ^ «Сотрудники журнала РМП». Обзоры современной физики. 17 декабря 2007 г.
  34. ^ Аноним (18 марта 2019 г.). «Как получить рейвы за свои обзоры». Физика. 12: 30. Bibcode:2019PhyOJ..12 ... 30.. Дои:10.1103 / Физика.12.30.
  35. ^ «Эксперты NUS среди самых цитируемых в мире». Новости NUS.
  36. ^ Хуа, Хо Тек. «Самые влиятельные исследователи мира». Новости NUS.
  37. ^ «30 исследователей NUS среди самых цитируемых исследователей мира». Новости NUS.
  38. ^ «Исследователи NUS среди самых влиятельных научных умов мира». www.science.nus.edu.sg.
  39. ^ "'Graphene Godfather 'играет разрушительную бразильскую пьесу ". Наука для Бразилии. 14 марта 2013 г.
  40. ^ «Центр исследования графена Национального университета Сингапура открывает предприятие по производству графена за 15 миллионов долларов». Nanowerk.
  41. ^ «Солнечный« бутерброд »может покрывать самые разные поверхности». Мир физики. 13 мая 2013 года.
  42. ^ «Двумерные материалы» столь же революционны, как графен'". Phys.org.
  43. ^ «НТУ и НУС расширяют границы материаловедения». The Straits Times. 16 декабря 2016 г.
  44. ^ «Решение в борьбе с поддельным графеном». ScienceDaily.
  45. ^ Видео, Advanced Science News (25 апреля 2019 г.). «Стандартизация производства графеновых хлопьев [видео]».
  46. ^ «Графен проходит летные испытания для будущих космических миссий». 9 августа 2018.
  47. ^ «Совместное исследование графена Национальным университетом Сингапура и BASF». Мир печатной электроники. 10 февраля 2014 г.